傾佳電子專業分(fēn)銷BASiC基本™碳化矽SiC功率MOSFET,BASiC基本™碳化矽MOSFET模塊，BASiC基本™單管IGBT，BASiC基本™IGBT模塊，BASiC基本™三電平IGBT模塊，BASiC基本™I型三電平IGBT模塊，BASiC基本™T型三電平IGBT模塊，BASiC基本™混合SiC-IGBT單管，BASiC基本™混合SiC-IGBT模塊，單通道隔離(lí)驅動芯片BTD5350,雙通道隔離(lí)驅動芯片BTD21520,單通道隔離(lí)驅動芯片（帶VCE保護）BTD3011,BASiC基本™混合SiC-IGBT三電平模塊應用于光伏逆變器，雙向AC-DC電源，戶用光伏逆變器，戶用光儲一(yī)體(tǐ)機，儲能變流器，儲能PCS,雙向LLC電源模塊，儲能PCS-Buck-Boost電路，光儲一(yī)體(tǐ)機,PCS雙向變流器，三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓撲等新能源領域。
在光伏逆變器、光儲一(yī)體(tǐ)機、儲能變流器PCS、OBC車(chē)載充電器，熱管理電動壓縮機驅動器，射頻(pín)電源，PET電力電子變壓器，氫燃料空壓機驅動，大(dà)功率工(gōng)業電源，工(gōng)商(shāng)業儲能變流器，變頻(pín)器，變槳伺服驅動輔助電源，高頻(pín)逆變焊機，高頻(pín)伺服驅動，AI服務器電源，算力電源，數據中(zhōng)心電源，機房UPS等領域與客戶戰略合作，傾佳電子全力支持中(zhōng)國電力電子工(gōng)業發展！
傾佳電子緻力于國産碳化矽（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣！
傾佳電子專業分(fēn)銷基本™隔離(lí)驅動IC産品主要有BTD21520xx是一(yī)款雙通道隔離(lí)門**驅動芯片，輸出拉灌峰值電流典型值4A/6A，絕緣電壓高達5000Vrms@SOW14封裝、3000Vrms@SOP16封裝；抗幹擾能力強，高達100V/ns；低傳輸延時至45ns；分(fēn)别提供 3 種管腳配置：BTD21520M提供禁用管腳（DIS）和死區設置（DT）,BTD21520S提供禁用管腳（DIS)， BTD21520E 提供單一(yī)PWM輸入；副邊VDD欠壓保護點兩種可選：分(fēn)别是5.7V和8.2V。
主要規格有BTD21520MAWR，BTD21520MBWR，BTD21520SAWR，BTD21520SBWR，BTD21520EAWR，BTD21520EBWR，BTD21520MAPR，BTD21520MBPR，BTD21520SAPR，BTD21520SBPR，BTD21520EAPR，BTD21520EBPR，BTD5350xx是一(yī)款單通道隔離(lí)門**驅動IC，輸出峰值電流典型值10A, 絕緣電壓高達5000Vrms@SOW8封裝，3000Vrms@SOP8封裝；抗幹擾能力強，高達100V/ns；傳輸延時低至60ns；分(fēn)别提供 3 種管腳配置：BTD5350M 提供門**米勒鉗位功能，BTD5350S 提供獨立的開(kāi)通和關斷輸出管腳，BTD5350E 對副邊的正電源配置欠壓保護功能；副邊VCC欠壓保護點兩種可選：分(fēn)别是8V和11V。
主要規格有BTD5350MBPR，BTD5350MCPR，BTD5350MBWR，BTD5350MCWR，BTD5350SBPR，BTD5350SCPR，BTD5350SBWR，BTD5350SCWR，BTD5350EBPR，BTD5350ECPR，BTD5350EBWR，BTD5350ECWR，BTD3011R是一(yī)款單通道智能隔離(lí)門**驅動芯片，采用磁隔離(lí)技術；絕緣電壓高達5000Vrms@SOW16封裝；輸出峰值電流典型值15A；管腳功能集成功率器件短路保護和短路保護後軟關斷功能，集成原副邊電源欠壓保護；集成副邊電源穩壓器功能，此穩壓器可以根據副邊電源輸入電壓，使驅動管腳自動分(fēn)配正負壓，适用在給電壓等級1200V以内的IGBT或者碳化矽 MOSFET驅動。
BTL2752x 系列是一(yī)款雙通道、高速、低邊門**驅動器，輸出側采用軌到軌方式；拉電流與灌電流能力可高達 5A，上升和下(xià)降時間低至 7ns 與 6ns；芯片的兩個通道可并聯使用，以增強驅動電流能力；信号輸入腳**可抗-5V的持續負壓，支持4個标準邏輯選項：BTL27523帶使能雙路反相，BTL27523B不帶使能雙路反相 和 BTL27524帶使能雙路同相，BTL27524B不帶使能雙路同相。
主要規格：BTL27523R，BTL27523BR，BTL27524R，BTL27524BR
傾佳電子專業分(fēn)銷基本™國産車(chē)規級碳化矽(SiC)MOSFET，國産車(chē)規級AEC-Q101碳化矽(SiC)MOSFET，國産車(chē)規級PPAP碳化矽(SiC)MOSFET，全碳化矽MOSFET模塊，Easy封裝全碳化矽MOSFET模塊，62mm封裝全碳化矽MOSFET模塊，Full SiC Module，SiC MOSFET模塊适用于超級充電樁，V2G充電樁，高壓柔性直流輸電智能電網(HVDC)，空調熱泵驅動，機車(chē)輔助電源，儲能變流器PCS,光伏逆變器,超高頻(pín)逆變焊機，超高頻(pín)伺服驅動器，高速電機變頻(pín)器等，光伏逆變器專用直流升壓模塊BOOST Module，儲能PCS變流器ANPC三電平碳化矽MOSFET模塊，光儲碳化矽MOSFET。
專業分(fēn)銷基本™SiC碳化矽MOSFET模塊及分(fēn)立器件，全力支持中(zhōng)國電力電子工(gōng)業發展！
汽車(chē)級全碳化矽功率模塊是BASiC基本™爲新能源汽車(chē)主逆變器應用需求而研發推出的系列MOSFET功率模塊産品，包括Pcore™6汽車(chē)級HPD模塊、Pcore™2汽車(chē)級DCM模塊、Pcore™1汽車(chē)級TPAK模塊、Pcore™2汽車(chē)級ED3模塊等，采用銀燒結技術等BASiC基本™**新的碳化矽 MOSFET 設計生(shēng)産工(gōng)藝，綜合性能達到國際先進水平，通過提升動力系統逆變器的轉換效率，進而提高新能源汽車(chē)的能源效率和續航裏程。
主要産品規格有：BMS800R12HWC4_B02，BMS600R12HWC4_B01，BMS950R12HWC4_B02，BMS700R12HWC4_B01，BMS800R12HLWC4_B02，BMS600R12HLWC4_B01，BMS950R12HLWC4_B02，BMS700R12HLWC4_B01，BMF800R12FC4，BMF600R12FC4，BMF950R08FC4，BMF700R08FC4，BMZ200R12TC4，BMZ250R08TC4
傾佳電子專業分(fēn)銷BASiC基本™碳化矽(SiC)MOSFET專用雙通道隔離(lí)驅動芯片BTD25350，原方帶死區時間設置，副方帶米勒鉗位功能，爲碳化矽功率器件SiC MOSFET驅動而優化。
BTD25350适用于以下(xià)碳化矽功率器件應用場景：
充電樁中(zhōng)後級LLC用SiC MOSFET 方案
光伏儲能BUCK-BOOST中(zhōng)SiC MOSFET方案
高頻(pín)APF，用兩電平的三相全橋SiC MOSFET方案
空調壓縮機三相全橋SiC MOSFET方案
OBC後級LLC中(zhōng)的SIC MOSFET方案
服務器交流側圖騰柱PFC高頻(pín)臂GaN或者SiC方案
基本™再度亮相**功率半導體(tǐ)展會——PCIM Europe 2023，在德國紐倫堡正式發布第二代碳化矽MOSFET新品。
新一(yī)代産品性能大(dà)幅提升，産品類型進一(yī)步豐富，助力新能源汽車(chē)、直流快充、光伏儲能、工(gōng)業電源、通信電源等行業實現更爲出色的能源效率和應用可靠性。
傾佳電子專業分(fēn)銷的BASiC基本™第二代SiC碳化矽MOSFET兩大(dà)主要特色：
1.出類拔萃的可靠性：相對競品較爲充足的設計餘量來确保大(dà)規模制造時的器件可靠性。
BASiC基本™第二代SiC碳化矽MOSFET 1200V系列擊穿電壓BV值實測在1700V左右，高于市面主流競品，擊穿電壓BV設計餘量可以抵禦碳化矽襯底外(wài)延材料及晶圓流片制程的擺動，能夠确保大(dà)批量制造時的器件可靠性，這是BASiC基本™第二代SiC碳化矽MOSFET**關鍵的品質.
2.可圈可點的器件性能：同規格較小(xiǎo)的Crss帶來出色的開(kāi)關性能。
BASiC基本™第二代SiC碳化矽MOSFET反向傳輸電容Crss 在市面主流競品中(zhōng)是比較小(xiǎo)的，帶來關斷損耗Eoff也是市面主流産品中(zhōng)非常出色的，優于部分(fēn)海外(wài)競品，特别适用于LLC應用，典型應用如充電樁電源模塊後級DC-DC應用。
Ciss：輸入電容（Ciss＝Cgd＋Cgs） ⇒栅**-漏**和栅**-源**電容之和：它影響延遲時間；Ciss越大(dà)，延遲時間越長。
BASiC基本™第二代SiC碳化矽MOSFET 優于主流競品。
Crss：反向傳輸電容（Crss＝Cgd） ⇒栅**-漏**電容：Crss越小(xiǎo)，漏**電流上升特性越好，這有利于MOSFET的損耗，在開(kāi)關過程中(zhōng)對切換時間起決定作用，高速驅動需要低Crss。
Coss：輸出電容（Coss＝Cgd＋Cds）⇒栅**-漏**和漏**-源**電容之和：它影響關斷特性和輕載時的損耗。
如果Coss較大(dà)，關斷dv／dt減小(xiǎo)，這有利于噪聲。
但輕載時的損耗增加。
傾佳電子專業分(fēn)銷的基本™B2M第二代碳化矽MOSFET器件主要特色：
• 比導通電阻降低40%左右
• Qg降低了60%左右
• 開(kāi)關損耗降低了約30%
• 降低Coss參數，更适合軟開(kāi)關
• 降低Crss，及提高Ciss/Crss比值,降低器件在串擾行爲下(xià)誤導通風險
• **工(gōng)作結溫175℃• HTRB、 HTGB+、 HTGB-可靠性按結溫Tj=175℃通過測試
• 優化栅氧工(gōng)藝，提高可靠性
• 高可靠性鈍化工(gōng)藝
• 優化終端環設計，降低高溫漏電流
• AEC-Q101
碳化矽MOSFET具有優秀的高頻(pín)、高壓、高溫性能，是目前電力電子領域**受關注的寬禁帶功率半導體(tǐ)器件。
在電力電子系統中(zhōng)應用碳化矽MOSFET器件替代傳統矽IGBT器件，可提高功率回路開(kāi)關頻(pín)率，提升系統效率及功率密度，降低系統綜合成本。
适用于高性能變換器電路與數字化先進控制、高效率 DC/DC 拓撲與控制，雙向 AC/DC、電動汽車(chē)車(chē)載充電機（OBC）/雙向OBC、車(chē)載電源、集成化 OBC ，雙向 DC/DC、多端口 DC/DC 拓撲與控制，直流配網的電力電子變換器。
SiC MOSFET越來越多地用于高壓電源轉換器，因爲它們可以滿足這些應用對尺寸、重量和/或效率的嚴格要求.
碳化矽 (SiC) MOSFET功率半導體(tǐ)技術代表了電力電子領域的根本性變革。
SiC MOSFET 的價格比 Si MOSFET 或 Si IGBT 貴。
然而，在評估碳化矽 (SiC) MOSFET提供的整體(tǐ)電力電子系統價值時，需要考慮整個電力電子系統和節能潛力。
需要仔細考慮以下(xià)電力電子系統節省： 第一(yī)降低無源元件成本，無源功率元件的成本在總體(tǐ)BOM成本中(zhōng)占主導地位。
提高開(kāi)關頻(pín)率提供了一(yī)種減小(xiǎo)這些器件的尺寸和成本的方法。
第二降低散熱要求，使用碳化矽 (SiC) MOSFET可顯着降低散熱器溫度高達 50%，從而縮小(xiǎo)散熱器尺寸和/或消除風扇，從而降低設備生(shēng)命周期内的能源成本。
通常的誘惑是在計算價值主張時僅考慮系統的組件和制造成本。
在考慮碳化矽 (SiC) MOSFET的在電力電子系統裏的價值時，考慮節能非常重要。
在電力電子設備的整個生(shēng)命周期内節省能源成本是碳化矽 (SiC) MOSFET價值主張的一(yī)個重要部分(fēn)。
傾佳電子專業分(fēn)銷的基本™第二代碳化矽MOSFET系列新品基于6英寸晶圓平台進行開(kāi)發，比上一(yī)代産品在比導通電阻、開(kāi)關損耗以及可靠性等方面表現更爲出色。
在原有TO-247-3、TO-247-4封裝的産品基礎上，基本™還推出了帶有輔助源**的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封裝的碳化矽MOSFET器件，以更好地滿足客戶需求。
基本™第二代碳化矽MOSFET亮點
更低比導通電阻：第二代碳化矽MOSFET通過綜合優化芯片設計方案，比導通電阻降低約40%，産品性能顯著提升。
更低器件開(kāi)關損耗：第二代碳化矽MOSFET器件Qg降低了約60%，開(kāi)關損耗降低了約30%。
反向傳輸電容Crss降低，提高器件的抗幹擾能力，降低器件在串擾行爲下(xià)誤導通的風險。
更高可靠性：第二代碳化矽MOSFET通過更高标準的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核，産品可靠性表現出色。
更高工(gōng)作結溫：第二代碳化矽MOSFET工(gōng)作結溫達到175°C，提高器件高溫工(gōng)作能力。
傾佳電子專業分(fēn)銷的基本™第二代碳化矽SiC MOSFET主要有B2M160120H，B2M160120Z，B2M160120R，B2M080120H,B2M080120Z，B2M80120R，B2M018120H，B2M018120Z，B2M020120Y，B2M065120H，B2M065120Z，B2M065120R，B2M040120H，B2M040120Z，B2M040120R，B2M032120Y，B2M018120Z。
适用大(dà)功率電力電子裝置的SiC MOSFET模塊，半橋SiC MOSFET模塊，ANPC三電平碳化矽MOSFET模塊，T型三電平模塊，MPPT BOOST SiC MOSFET模塊。
B2M032120Y國産替代英飛淩IMZA120R030M1H，安森(sēn)美NTH4L030N120M3S以及C3M0032120K。
B2M040120Z國産替代英飛淩IMZA120R040M1H，安森(sēn)美NTH4L040N120M3S，NTH4L040N120SC1以及C3M0040120K，意法SCT040W120G3-4AG。
B2M020120Y國産替代英飛淩IMZA120R020M1H，安森(sēn)美NTH4L020N120SC1，NTH4L022N120M3S以及C3M0021120K，意法SCT015W120G3-4AG。
B2M1000170R國産代替英飛淩IMBF170R1K0M1，安森(sēn)美NTBG1000N170M1以及C2M1000170J。
B2M065120H國産代替安森(sēn)美NTHL070N120M3S。
B2M065120Z國産代替英飛淩IMZ120R060M1H，安森(sēn)美NVH4L070N120M3S，C3M0075120K-A，意法SCT070W120G3-4AG。
碳化矽 (SiC) MOSFET出色的材料特性使得能夠設計快速開(kāi)關單**型器件，替代升級雙**型 IGBT （絕緣栅雙**晶體(tǐ)管）開(kāi)關。
碳化矽 (SiC) MOSFET替代IGBT可以得到更高的效率、更高的開(kāi)關頻(pín)率、更少的散熱和節省空間——這些好處反過來也降低了總體(tǐ)系統成本。
SiC-MOSFET的Vd-Id特性的導通電阻特性呈線性變化，在低電流時SiC-MOSFET比IGBT具有優勢。
與IGBT相比，SiC-MOSFET的開(kāi)關損耗可以大(dà)幅降低。
采用矽 IGBT 的電力電子裝置有時不得不使用三電平拓撲來優化效率。
當改用碳化矽 (SiC) MOSFET時，可以使用簡單的兩級拓撲。
因此所需的功率元件數量實際上減少了一(yī)半。
這不僅可以降低成本，還可以減少可能發生(shēng)故障的組件數量。
SiC MOSFET 不斷改進，并越來越多地加速替代以 Si IGBT 爲主的應用。
SiC MOSFET 幾乎可用于目前使用 Si IGBT 的任何需要更高效率和更高工(gōng)作頻(pín)率的應用。
這些應用範圍廣泛，從太陽能和風能逆變器和電機驅動到感應加熱系統和高壓 DC/DC 轉換器。
随着自動化制造、電動汽車(chē)、先進建築系統和智能電器等行業的發展，對增強這些機電設備的控制、效率和功能的需求也在增長。
碳化矽 MOSFET (SiC MOSFET) 的突破重新定義了曆史上使用矽 IGBT (Si IGBT) 進行功率逆變的電動機的功能。
這項創新擴展了幾乎每個行業的電機驅動應用的能力。
Si IGBT 因其高電流處理能力、快速開(kāi)關速度和低成本而曆來用于直流至交流電機驅動應用。
**重要的是，Si IGBT 具有高額定電壓、低電壓降、低電導損耗和熱阻抗，使其成爲制造系統等高功率電機驅動應用的明顯選擇。
然而，Si IGBT 的一(yī)個顯着缺點是它們非常容易受到熱失控的影響。
當器件溫度不受控制地升高時，就會發生(shēng)熱失控，導緻器件發生(shēng)故障并**終失效。
在高電流、電壓和工(gōng)作條件常見的電機驅動應用中(zhōng)，例如電動汽車(chē)或制造業，熱失控可能是一(yī)個重大(dà)的設計風險。
電力電子轉換器提高開(kāi)關頻(pín)率一(yī)直是研發索所追求的方向，因爲相關組件（特别是磁性元件）可以更小(xiǎo)，從而産生(shēng)小(xiǎo)型化優勢并節省成本。
然而，所有器件的開(kāi)關損耗都與頻(pín)率成正比。
IGBT 由于“拖尾電流”以及較高的門**電容的充電/放(fàng)電造成的功率損耗，IGBT 很少在 20KHz 以上運行。
SiC MOSFET在更快的開(kāi)關速度和更低的功率損耗方面提供了巨大(dà)的優勢。
IGBT 經過多年的高度改進，使得實現性能顯着改進變得越來越具有挑戰性。
例如，很難降低總體(tǐ)功率損耗，因爲在傳統的 IGBT 設計中(zhōng)，降低傳導損耗通常會導緻開(kāi)關損耗增加。
作爲應對這一(yī)設計挑戰的解決方案，SiC MOSFET 具有更強的抗熱失控能力。
碳化矽 的導熱性更好，可以實現更好的設備級散熱和穩定的工(gōng)作溫度。
SiC MOSFET 更适合較溫暖的環境條件空間，例如汽車(chē)和工(gōng)業應用。
此外(wài)，鑒于其導熱性，SiC MOSFET 可以消除對額外(wài)冷卻系統的需求，從而有可能減小(xiǎo)總體(tǐ)系統尺寸并降低系統成本。
由于 SiC MOSFET 的工(gōng)作開(kāi)關頻(pín)率比 Si IGBT 高得多，因此它們非常适合需要**電機控制的應用。
高開(kāi)關頻(pín)率在自動化制造中(zhōng)至關重要，高精度伺服電機用于工(gōng)具臂控制、精密焊接和**物(wù)體(tǐ)放(fàng)置。
此外(wài)，與 Si IGBT 電機驅動器系統相比，SiC MOSFET 的一(yī)個顯着優勢是它們能夠嵌入電機組件中(zhōng)，電機控制器和逆變器嵌入與電機相同的外(wài)殼内。
使用SiC MOSFET 作爲變頻(pín)器或者伺服驅動功率開(kāi)關器件的另一(yī)個優點是，由于 MOSFET 的線性損耗與負載電流的關系，它可以在所有功率級别保持效率曲線“平坦”。
SiC MOSFET變頻(pín)伺服驅動器的栅**電阻的選擇是爲了首先避免使用外(wài)部輸出濾波器，以保護電機免受高 dv/dt 的影響（隻有電機電纜長度才會衰減 dv/dt）。
SiC MOSFET變頻(pín)伺服驅動器相較于IGBT變頻(pín)伺服驅動器在高開(kāi)關頻(pín)率下(xià)的巨大(dà)效率優越性.
盡管 SiC MOSFET 本身成本較高，但某些應用可能會看到整個電機驅動器系統的價格下(xià)降（通過減少布線、無源元件、熱管理等），并且與 Si IGBT 系統相比總體(tǐ)上可能更便宜。
這種成本節省可能需要在兩個應用系統之間進行複雜(zá)的設計和成本研究分(fēn)析，但可能會提高效率并節省成本。
基于 SiC 的逆變器使電壓高達 800 V 的電氣系統能夠顯着延長電動汽車(chē)續航裏程并将充電時間縮短一(yī)半。
LLC，移相全橋等應用實現ZVS主要和Coss、關斷速度和體(tǐ)二**管壓降等參數有關。
Coss決定所需諧振電感儲能的大(dà)小(xiǎo)，值越大(dà)越難實現ZVS；更快的關斷速度可以減少對儲能電感能量的消耗，影響體(tǐ)二**管的續流維持時間或者開(kāi)關兩端電壓能達到的**值；因爲續流期間的主要損耗爲體(tǐ)二**管的導通損耗.在這些參數方面，B2M第二代碳化矽MOSFET跟競品比，B2M第二代碳化矽MOSFET的Coss更小(xiǎo)，需要的死區時間初始電流小(xiǎo)；B2M第二代碳化矽MOSFET抗側向電流觸發寄生(shēng)BJT的能力會強一(yī)些。
B2M第二代碳化矽MOSFET體(tǐ)二**管的Vf和trr 比競品有較多優勢，能減少LLC裏面Q2的硬關斷的風險。
綜合來看，比起競品，LLC，移相全橋應用中(zhōng)B2M第二代碳化矽MOSFET表現會更好.
